[发明专利]集成电路及其制造方法在审
| 申请号： | 202011051079.2 | 申请日： | 2020-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN112582532A | 公开（公告）日： | 2021-03-30 |
| 发明（设计）人： | 刘中伟;蓝锦坤 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;H01L43/12;H01L45/00;H01L27/22;H01L27/24 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | MRAM单元具有底部电极、金属隧道结和顶部电极。金属隧道结在底部电极和顶部电极之间具有侧表面。侧表面上的薄层包括存在于其中一个电极中的一种或多种金属的化合物。薄层具有比MTJ低的电导。电极金属可以已在MTJ图案化期间沉积在侧面上，并随后反应以形成具有比电极金属的氮化物低的电导的化合物。薄层可以包括沉积在再沉积的电极金属上方的氧化物。薄层可以包括沉积在再沉积的电极金属上方的电极金属的化合物。氮化硅间隔件可以形成在薄层上方，而不形成电极金属的氮化物。本发明的实施例还涉及集成电路及其制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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