[发明专利]半导体工艺设备的进气装置及半导体工艺设备有效
| 申请号： | 202011050820.3 | 申请日： | 2020-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN112359343B | 公开（公告）日： | 2022-11-25 |
| 发明（设计）人： | 赵庆峰;王晓飞 | 申请（专利权）人： | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/455 | 分类号： | C23C16/455;C23C16/44;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 彭瑞欣;王婷 |
| 地址： | 100176 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种半导体工艺设备的进气装置及半导体工艺设备，其中，半导体工艺设备的进气装置包括第一进气组件和第二进气组件，第一进气组件设置在半导体工艺设备的工艺腔室的进气端，包括第一进气部件和与第一进气部件连通的第一进气管，第二进气组件包括第二进气部件和与第二进气部件连通的第二进气管，第一进气管和第二进气管分别用于通过第一进气部件和第二进气部件向工艺腔室内输送工艺气体，且第二进气管穿过第一进气部件与第二进气部件连通。本发明提供的半导体工艺设备的进气装置及半导体工艺设备，能够提高工艺气体的进气量，以提高输送工艺气体的能力，从而提高晶片上薄膜的均匀性，提高产品良率，改善工艺效果。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 工艺设备 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京北方华创微电子装备有限公司，未经北京北方华创微电子装备有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202011050820.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
