[发明专利]基于差值比较法的芯片ESD二极管工艺缺陷检测方法有效
| 申请号： | 202011049190.8 | 申请日： | 2020-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN112275667B | 公开（公告）日： | 2022-07-08 |
| 发明（设计）人： | 王测天;羊洪轮;邬海峰;张谦;黄梦;覃良;杨聪聪;李仁侠;胡柳林;石君;吕继平;童伟 | 申请（专利权）人： | 成都嘉纳海威科技有限责任公司 |
| 主分类号： | B07C5/344 | 分类号： | B07C5/344 |
| 代理公司： | 成都正德明志知识产权代理有限公司 51360 | 代理人： | 陈瑶 |
| 地址： | 610200 四川省成都市*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于差值比较法的芯片ESD二极管工艺缺陷检测方法，能够筛选出ESD二极管导通电压或击穿电压异常的芯片，解决了现有芯片性能测试方法不能将二极管导通电压或击穿电压异常芯片完全筛选出来的技术问题。本发明采用的差值法可以显著遏制芯片量产测试的正常波动对于量产测试的干扰作用，有效拦截了ESD二极管导通电压或击穿电压异常的芯片。此外本发明采用两点IV的测试方法，测试速度快，测试环境简单。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 差值 比较法 芯片 esd 二极管 工艺 缺陷 检测 方法 | ||
【主权项】：
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