[发明专利]基于端口特征模理论的电抗加载阵列构建方法在审

专利信息
申请号: 202011046840.3 申请日: 2020-09-29
公开(公告)号: CN112257334A 公开(公告)日: 2021-01-22
发明(设计)人: 陶诗飞;孙通;叶晓东;王昊;许梦南;刘思行;陈玲 申请(专利权)人: 南京理工大学
主分类号: G06F30/27 分类号: G06F30/27;G06N3/12;H01Q21/00;G06F111/06
代理公司: 南京理工大学专利中心 32203 代理人: 薛云燕
地址: 210094 江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明公开了一种基于端口特征模理论的电抗加载阵列构建方法。该方法如下:利用全波仿真得到天线结构的阵列端口阻抗矩阵,由阻抗矩阵建立特征值方程求解得到特征电流和特征值,进而得到特征电场;将端口电流和总电场方向图采用特征电流和特征电场线性叠加表示,对端口电流和总电场方向图设定多个目标函数;使用差分进化算法优化电抗值:每次迭代采用电抗值反推特征电流和特征电场线性叠加所需的权重系数,从而判断当前电抗值是否符合目标函数要求,达到终止条件后得到用于端口加载的最优电抗值。本发明直接使用电抗值为优化参量,使得电抗加载阵列的优化设计更为简便,节省了计算资源和时间消耗,并且目标函数可以适应多样化的设计需求。
搜索关键词: 基于 端口 特征 理论 电抗 加载 阵列 构建 方法
【主权项】:
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