[发明专利]毫米波芯片制作方法在审
| 申请号： | 202011042039.1 | 申请日： | 2020-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN112133666A | 公开（公告）日： | 2020-12-25 |
| 发明（设计）人： | 张志国;刘育青;张洋阳;李少鹏;安国雨;郭黛翡 | 申请（专利权）人： | 北京国联万众半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683 |
| 代理公司： | 河北冀华知识产权代理有限公司 13151 | 代理人： | 王占华 |
| 地址： | 101399 北京市顺义*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种毫米波芯片制作方法，包括如下步骤：对减薄后的晶圆的背面进行背面光刻，背面光刻的目的是将背面的分片通道进行光刻，将晶圆的有效芯片区域进行保护；背面光刻采用背面分片光刻版将芯片的正面和背面进行双面对准，然后露出背面分片通道；下一步采取化学气体刻蚀的方法，将无光刻胶保护的背面分片区域进行刻蚀，直至刻蚀到保护蜡区域，刻蚀完毕后，进行光刻胶的去除工艺；当背面刻蚀完毕并将背面的光刻胶去除后，将已经减薄的待取芯片晶圆放置在取片装置上，将保护蜡融掉，分立的芯片将在自身重力的作用下自动落入到取片装置上。通过所述方法制备的芯片没有崩边或者毛刺，质量高。 | ||
| 搜索关键词： | 毫米波 芯片 制作方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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