[发明专利]具有阶梯状轮廓的降低表面电场和漂移结构的横向DMOS器件在审
| 申请号： | 202011041022.4 | 申请日： | 2020-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN112687742A | 公开（公告）日： | 2021-04-20 |
| 发明（设计）人： | T·C·H·姚;R·德索萨;T·D·克利尔 | 申请（专利权）人： | 半导体元件工业有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/36;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 张丹 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明题为“具有阶梯状轮廓的降低表面电场和漂移结构的横向DMOS器件”。本发明公开了一种用于制造MOSFET的方法，该方法包括在半导体衬底的表面上形成源极区和漏极区，形成栅极区，形成主体扩散区，形成金属结构，以及形成漂移区，该漂移区包括n型漂移结构，该n型漂移结构具有阶梯状掺杂剂浓度分布，其中掺杂剂浓度沿着从该器件的该漏极区到该源极区的横向方向增加。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 阶梯 轮廓 降低 表面 电场 漂移 结构 横向 dmos 器件 | ||
【主权项】：
暂无信息
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