[发明专利]锗硅源漏结构及其制造方法在审
| 申请号： | 202011037590.7 | 申请日： | 2020-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN112201691A | 公开（公告）日： | 2021-01-08 |
| 发明（设计）人： | 颜强;黄秋铭;谭俊;周海锋 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/08;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 郭四华 |
| 地址： | 201315 上海市浦东新区中国（上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种锗硅源漏结构，包括：形成于半导体基体中的凹陷；在凹陷的内侧表面形成有锗硅种子层；锗硅主体层形成于锗硅种子层上并将凹陷完全填充；硅固化层形成在锗硅主体层表面，锗硅主体层和硅固化层采用不间断的外延生长形成，以实现对锗硅主体层的形貌固化，从而防止锗硅主体层顶部表面直接暴露时由高温而产生的形貌变化；在硅固化层的表面形成有盖帽层。本发明还公开了一种锗硅源漏的制造方法。本发明能使锗硅主体层的形貌得到很好的控制，能提高器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 锗硅源漏 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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