[发明专利]一种基于史密斯帕塞尔辐射的扩展互作用振荡器设计方法有效

专利信息
申请号: 202011037334.8 申请日: 2020-09-28
公开(公告)号: CN112187181B 公开(公告)日: 2023-06-16
发明(设计)人: 赵德强;张平;曹欣欣 申请(专利权)人: 电子科技大学
主分类号: H03B5/30 分类号: H03B5/30
代理公司: 电子科技大学专利中心 51203 代理人: 吴姗霖
地址: 611731 四川省成*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 发明提供一种基于史密斯‑帕塞尔辐射且工作在高阶模的EIO设计方法,属于高频率太赫兹源技术领域。本发明设计方法通过电子穿过SHA产生SPR的角度入手,确定SHA的孔长边大小;然后,根据Orotron中金属镜和光栅组成的开放准光学腔可以形成高阶模式的思想,进一步确定了金属挡板与SHA距离的大小;当工作模式的频率落在SPR频率的峰值附近时,认为该模式可以有效工作。本发明创造性的将SPR和Orotron的相关理论思想引入到EIO的设计中,为研究EIO工作在高阶模提供了新的角度。
搜索关键词: 一种 基于 史密斯 帕塞尔 辐射 扩展 作用 振荡器 设计 方法
【主权项】:
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