[发明专利]一种新型高可靠性IGBT及其制造方法在审
| 申请号： | 202011034122.4 | 申请日： | 2020-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN112103181A | 公开（公告）日： | 2020-12-18 |
| 发明（设计）人： | 赵家宽;黄传伟;李健;吕文生;谈益民 | 申请（专利权）人： | 江苏东海半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/331 | 分类号： | H01L21/331;H01L29/739;H01L29/423 |
| 代理公司： | 广东有知猫知识产权代理有限公司 44681 | 代理人： | 闫日旭 |
| 地址： | 214142 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及功率器件技术领域，具体涉及一种新型高可靠性IGBT及其制造方法，旨在解决现有技术中Dummy Cell区域存在很高的掺杂浓度，影响器件的长期可靠性，其技术要点在于，其中，制造方法包括S1：通过光刻版在所述晶圆衬底表面打开需要刻蚀的区域，并注入Boron离子，再通过高温退火形成Dummy区域，并在晶圆表面沉积氧化层覆盖刻蚀区域；S2：使用Active光刻版打开需要刻蚀的区域，并去除表面氧化层，以打开Cell区域；S3：在晶圆衬底表面形成刻蚀掩蔽层，运用Trench光刻版打开需要刻蚀的区域，并打开深槽刻蚀窗口，进行Si刻蚀，以形成深槽结构。通过优化槽栅结构，提升Dummy Cell侧氧化层厚度，以及保护上方绝缘介质层，减小器件长期对氧化层的注入的影响，提升长期可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 新型 可靠性 igbt 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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