[发明专利]一种三维存储器及其制作方法

摘要

本发明提供一种三维存储器及其制作方法，该方法包括以下步骤：形成具有至少一凹槽的第一半导体层；在所述第一半导体层上形成绝缘层，所述绝缘层填充进所述凹槽中；在所述绝缘层上形成堆叠结构，所述堆叠结构包括交替堆叠的导电层和电介质层；以及形成沿垂直方向贯穿所述堆叠结构的绝缘结构，所述绝缘结构在所述第一半导体层上的正投影位于所述凹槽内。本发明在栅线缝隙区域增加底部凹槽，并在底部凹槽里填充绝缘层，可作为栅线缝隙刻蚀时的刻蚀停止层，不仅可以平衡核心区域与台阶区的刻蚀负载，且不需要增加工艺和成本。此外，绝缘层还可作为衬底背面CMP的自动停止层，可提高衬底均匀性。