[发明专利]集成电路结构中的金属化在审
| 申请号： | 202011029900.0 | 申请日： | 2020-09-23 |
| 公开（公告）号： | CN113053880A | 公开（公告）日： | 2021-06-29 |
| 发明（设计）人： | D·B·奥布莱恩;C·J·维甘德;L·M·鲍姆格特尔;O·戈隆茨卡;D·S·拉夫里克;D·B·伯格斯特龙;J·S·莱布;T·M·达菲;D·M·克鲁姆 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L27/088 | 分类号： | H01L27/088;H01L29/775;B82Y10/00 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 邬少俊 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 在本文中公开了与集成电路(IC)结构中的金属化相关的结构、方法和组件。例如，在一些实施例中，IC结构可以包括金属区中的第一纳米线和金属区中的第二纳米线。第一纳米线与第二纳米线之间的距离可以小于5纳米，并且金属区可以包括第一纳米线和第二纳米线之间的钨。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路 结构 中的 金属化 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
