[发明专利]半导体结构在审
| 申请号： | 202011026433.6 | 申请日： | 2020-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN112563240A | 公开（公告）日： | 2021-03-26 |
| 发明（设计）人： | 傅安教;黄柏翔;徐玮泽;薛琇文;张盟昇 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/525 | 分类号： | H01L23/525;H01L21/768 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 聂慧荃;闫华 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本公开提供一种半导体结构。其包括一第一薄层、第二薄层及第三薄层，第一薄层包含第一介电层以及多个第一金属特征，其中第一金属特征包括第一区域中的第一组第一金属特征以及第二区域中的第二组第一金属特征，第一组第一金属特征具有第一图案密度，而第二组第一金属特征具有大于第一图案密度的第二图案密度。上述半导体结构还包括一第二薄层，被设置于第一薄层上，第二薄层包括接触第一组第一金属特征的多个第一通孔。上述半导体结构还包括一第三薄层，被设置于第二薄层上，第三薄层包括一熔丝元件，其中上述熔丝元件具有在第一区域中的第一厚度，第一厚度小于上述熔丝元件在第二区域中的第二厚度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 | ||
【主权项】：
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