[发明专利]一种超导纳米线结构及其制备方法在审
| 申请号： | 202011019116.1 | 申请日： | 2020-09-24 |
| 公开（公告）号： | CN112117375A | 公开（公告）日： | 2020-12-22 |
| 发明（设计）人： | 孙兵;刘建华;刘洪刚;常虎东;翟明龙 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L39/02 | 分类号： | H01L39/02;H01L39/24;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 孙蕾 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种超导纳米线结构及其制备方法，其中，本发明利用自下而上的方式，采用侧墙技术，提供了一种超导纳米线结构的制备方法，包括：在衬底上沉积牺牲层，去除部分牺牲层和部分衬底，形成具有预设间距的多个剩余部分牺牲层和多个衬底凹槽，每个衬底凹槽在两个剩余部分牺牲层之间；在每个所述剩余部分牺牲层表面和所述衬底凹槽的衬底表面沉积隔离介质层，去除部分隔离介质层，形成具有预设间距的多个剩余部分隔离介质层；通过腐蚀方法去除多个剩余部分牺牲层；清洗衬底表面，在衬底表面外延第一超导纳米线和第二超导纳米线，获得超导纳米线结构。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 导纳 米线 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院微电子研究所，未经中国科学院微电子研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202011019116.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种降低水泥中水溶性六价铬的掺合料
- 下一篇：一种超导纳米线结构及其制备方法
