[发明专利]基于门极电荷变化的IGBT模块内部缺陷监测方法及电路有效
| 申请号： | 202011016747.8 | 申请日： | 2020-09-24 |
| 公开（公告）号： | CN112114237B | 公开（公告）日： | 2022-03-01 |
| 发明（设计）人： | 王凯宏;周雒维;孙鹏菊;黄旭;杜雄 | 申请（专利权）人： | 重庆大学 |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26;G01R31/27 |
| 代理公司： | 重庆博凯知识产权代理有限公司 50212 | 代理人： | 黄河 |
| 地址： | 400044 *** | 国省代码： | 重庆;50 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了基于门极电荷变化的IGBT模块内部缺陷监测方法及电路，该方法基于IGBT模块在开关过程中的门极电信号会受到因IGBT模块老化导致其内部参数变化的影响的特点，通过监测IGBT模块在开关过程中的门极电信号来评估当期IGBT模块的健康状态；具体的，以IGBT模块门极电荷为监测对象，通过监测运行过程中IGBT模块门极电荷的变化来评估当前IGBT模块的内部缺陷情况；并通过连续对多个开关周期下获得的门极电荷信息进行累积，以放大IGBT模块内部的缺陷。本方案能在不拆卸IGBT模块的情况下方便地进行监测，同时又能确保在IGBT模块正常工作下就能实现对其健康状态的准确评估，提高模块和系统的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 电荷 变化 igbt 模块 内部 缺陷 监测 方法 电路 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于重庆大学，未经重庆大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202011016747.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
