[发明专利]包括电流扩散区的半导体器件有效
| 申请号： | 202011015433.6 | 申请日： | 2020-09-24 |
| 公开（公告）号： | CN112635562B | 公开（公告）日： | 2023-10-27 |
| 发明（设计）人： | M·黑尔;R·埃尔佩尔特;T·甘纳;C·莱恩德茨 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/16;H01L29/06;H01L21/266 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 刘书航;申屠伟进 |
| 地址： | 德国瑙伊比*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提出了一种半导体器件(100)。半导体器件(100)包括碳化硅半导体本体(102)。第一导电类型的第一屏蔽区(104)电连接到碳化硅半导体本体(102)的第一表面(108)处的第一接触(106)。第二导电类型的电流扩散区(110)电连接到碳化硅半导体本体(102)的第二表面(114)处的第二接触(112)。第一屏蔽区(104)和电流扩散区(110)形成pn结(116)。电流扩散区(110)的掺杂浓度分布包括沿着垂直于第一表面(108)的竖向方向(y)的多个峰。多个掺杂峰(P1、P2、P3、P4)中的一个峰或一个峰组(P1)的掺杂浓度比电流扩散区(110)的多个峰中的任何其它峰(P2、P3、P4)的掺杂浓度大至少50%。电流扩散区(110)的一个峰或一个峰组(P1)与第一表面(108)之间的第一竖向距离(vd1)大于第一表面(108)与第一屏蔽区(104)的最大掺杂峰之间沿竖向方向(y)的第二竖向距离(vd2)。 | ||
| 搜索关键词： | 包括 电流 扩散 半导体器件 | ||
【主权项】：
暂无信息
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