[发明专利]一种多孔硅纳米线及其制备方法在审

专利信息
申请号: 202011007261.8 申请日: 2020-09-23
公开(公告)号: CN112458539A 公开(公告)日: 2021-03-09
发明(设计)人: 王云兵;张华;杨立 申请(专利权)人: 四川大学
主分类号: C30B33/10 分类号: C30B33/10;C30B29/06;C30B29/60;C23F1/24;C11D1/29;C11D3/22;C11D3/04;C11D3/60;B82Y15/00;B82Y30/00;B82Y40/00
代理公司: 北京正华智诚专利代理事务所(普通合伙) 11870 代理人: 何凡
地址: 610064 四川*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 发明公开了一种多孔硅纳米线及其制备方法。本发明的目的在于开发一种新的多孔硅纳米线制备方法,本发明利用厘米尺寸的硅圆片,高度氧化刻蚀,制备出数千个纳米线,极大地降低材料成本;同时制备的硅纳米线表面覆盖SiO2层,具有亲水性,并且其多孔性和一维特征,有利于提高小分子代谢物与增大比表面积间相互作用,可作为一种独特的基质,用于基质辅助激光解吸电离飞行时间质谱仪,高度灵敏地对血清中小分子代谢物进行定量分析和检测,实现临床上对癌症的精准诊断和分类。
搜索关键词: 一种 多孔 纳米 及其 制备 方法
【主权项】:
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