[发明专利]一种基于AAO纳米结构光刻掩膜版的制备方法在审
申请号: | 202011001312.6 | 申请日: | 2020-09-22 |
公开(公告)号: | CN112099311A | 公开(公告)日: | 2020-12-18 |
发明(设计)人: | 孙堂友;刘云;涂杰;石卉;李海鸥;傅涛;刘兴鹏;陈永和;肖功利;李琦;张法碧 | 申请(专利权)人: | 桂林电子科技大学 |
主分类号: | G03F1/68 | 分类号: | G03F1/68;B82Y30/00;B82Y40/00 |
代理公司: | 桂林文必达专利代理事务所(特殊普通合伙) 45134 | 代理人: | 张学平 |
地址: | 541004 广西*** | 国省代码: | 广西;45 |
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摘要: | 本发明公开了一种可以在目标基片制备出与AAO模板一致的分布均匀、形状统一的纳米结构的基于AAO纳米结构光刻掩膜版的制备方法。该基于AAO纳米结构光刻掩膜版的制备方法首先以进行PMMA旋涂的AAO多孔纳米结构为基底,在AAO表面生长一层金属层,再依次去除PMMA层和AAO层,利用玻璃衬底将纳米结构金属层从酸性溶液取出,将金属‑玻璃衬底上生长一层透明的覆盖层,最后得到由纳米结构金属‑玻璃衬底组成的亚微米级光刻掩膜版。采用该基于AAO纳米结构光刻掩膜版的制备方法将AAO纳米结构图形尺寸完全复制到金属层上,再将金属层固定到玻璃衬底上制备得到亚微米级光刻掩膜版,具有操作简单、成本低、精度高、保存方便等优点。 | ||
搜索关键词: | 一种 基于 aao 纳米 结构 光刻 掩膜版 制备 方法 | ||
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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