[发明专利]一种基于AAO纳米结构光刻掩膜版的制备方法在审

专利信息
申请号: 202011001312.6 申请日: 2020-09-22
公开(公告)号: CN112099311A 公开(公告)日: 2020-12-18
发明(设计)人: 孙堂友;刘云;涂杰;石卉;李海鸥;傅涛;刘兴鹏;陈永和;肖功利;李琦;张法碧 申请(专利权)人: 桂林电子科技大学
主分类号: G03F1/68 分类号: G03F1/68;B82Y30/00;B82Y40/00
代理公司: 桂林文必达专利代理事务所(特殊普通合伙) 45134 代理人: 张学平
地址: 541004 广西*** 国省代码: 广西;45
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摘要: 发明公开了一种可以在目标基片制备出与AAO模板一致的分布均匀、形状统一的纳米结构的基于AAO纳米结构光刻掩膜版的制备方法。该基于AAO纳米结构光刻掩膜版的制备方法首先以进行PMMA旋涂的AAO多孔纳米结构为基底,在AAO表面生长一层金属层,再依次去除PMMA层和AAO层,利用玻璃衬底将纳米结构金属层从酸性溶液取出,将金属‑玻璃衬底上生长一层透明的覆盖层,最后得到由纳米结构金属‑玻璃衬底组成的亚微米级光刻掩膜版。采用该基于AAO纳米结构光刻掩膜版的制备方法将AAO纳米结构图形尺寸完全复制到金属层上,再将金属层固定到玻璃衬底上制备得到亚微米级光刻掩膜版,具有操作简单、成本低、精度高、保存方便等优点。
搜索关键词: 一种 基于 aao 纳米 结构 光刻 掩膜版 制备 方法
【主权项】:
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