[发明专利]单光子源和QLED在审
| 申请号： | 202010983758.7 | 申请日： | 2018-10-18 |
| 公开（公告）号： | CN112111277A | 公开（公告）日： | 2020-12-22 |
| 发明（设计）人： | 彭笑刚;濮超丹;金一政 | 申请（专利权）人： | 浙江大学;纳晶科技股份有限公司 |
| 主分类号： | C09K11/88 | 分类号： | C09K11/88;C09K11/02;H01L51/50 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 霍文娟 |
| 地址： | 310058 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本申请提供了一种单光子源和QLED。该单光子源和QLED均包括量子点，量子点包括量子点本体和设置在量子点本体外表面的配体，配体包括电化学惰性配体，电化学惰性配体的还原电位大于量子点本体的导带底对应的电位，电化学惰性配体的氧化电位小于量子点本体的价带底对应的电位，电化学惰性配体占量子点本体外表面的所有配体的80％以上。该量子点由于包括电化学惰性配体，使得其发光效率较高，器件较稳定，可靠性较高。 | ||
| 搜索关键词： | 光子 qled | ||
【主权项】：
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