[发明专利]CMP芯片表面形貌仿真模型的实现方法及仿真系统在审
| 申请号： | 202010983030.4 | 申请日： | 2020-09-17 |
| 公开（公告）号： | CN112131820A | 公开（公告）日： | 2020-12-25 |
| 发明（设计）人： | 徐勤志;陈岚;曹鹤;刘建云 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | G06F30/392 | 分类号： | G06F30/392;G06F119/14;G06F119/08 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 刘歌 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种CMP芯片表面形貌仿真模型的实现方法及仿真系统，该方法包括：建立研磨液、研磨粒子、研磨垫与芯片表面间相互作用的动力学模型；根据动力学模型，获取研磨垫与芯片表面间的接触应力、研磨液在芯片表面的第一浓度分布、研磨粒子在芯片表面的第二浓度分布和研磨垫与芯片表面间的温度分布；根据接触应力、第一浓度分布、第二浓度分布和温度分布，计算芯片表面的研磨率；根据研磨率与芯片表面形貌的函数关系，建立CMP芯片表面形貌仿真模型。本发明提出的CMP芯片表面形貌仿真模型的实现方法及基于其的仿真系统，可以实现芯片表面形貌的跨尺度精确仿真。 | ||
| 搜索关键词： | cmp 芯片 表面 形貌 仿真 模型 实现 方法 系统 | ||
【主权项】：
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