[发明专利]一种KNN基超高击穿电场单晶薄膜材料的制备方法有效
| 申请号： | 202010979464.7 | 申请日： | 2020-09-17 |
| 公开（公告）号： | CN112062562B | 公开（公告）日： | 2022-04-19 |
| 发明（设计）人： | 彭彪林;李盈盈 | 申请（专利权）人： | 广西大学 |
| 主分类号： | C04B35/495 | 分类号： | C04B35/495;C04B35/622 |
| 代理公司： | 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 | 代理人： | 卢波 |
| 地址： | 530004 广西*** | 国省代码： | 广西;45 |
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| 摘要： |
本发明涉及一种KNN基超高击穿电场单晶薄膜材料的制备方法，属于化学工程技术领域。一种KNN基超高击穿电场单晶薄膜材料的制备方法，包括以下步骤：制备KNNS‑LT‑BZ前驱体溶液；所得KNNS‑LT‑BZ前驱体溶液旋涂于不同取向的Nb‑doped SrTiO |
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| 搜索关键词： | 一种 knn 超高 击穿 电场 薄膜 材料 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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