[发明专利]一种Micro-LED芯片的制备方法有效
| 申请号： | 202010978658.5 | 申请日： | 2020-09-17 |
| 公开（公告）号： | CN111933634B | 公开（公告）日： | 2021-01-05 |
| 发明（设计）人： | 覃志伟;邓群雄;席庆男;王晓慧 | 申请（专利权）人： | 山东元旭光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/16 | 分类号： | H01L25/16;H01L21/683;H01L33/64;H01L33/50 |
| 代理公司： | 济南诚智商标专利事务所有限公司 37105 | 代理人： | 马春燕 |
| 地址： | 261000 山东省潍坊市高新*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明涉及Micro‑LED芯片技术领域，提供了一种Micro‑LED芯片的制备方法，制备方法包括：将蓝光外延片制作成Micro‑LED晶粒；将Micro‑LED晶粒的表面镀上一层第一DLC薄膜层；将Micro‑LED晶粒的表面沉积一层金属层；将Micro‑LED晶粒顶部出光区的表面沉积上一层滤光层；将Micro‑LED晶粒顶部出光区制作量子点层；将Micro‑LED晶粒的表面沉积上一层第二DLC薄膜层；将Micro‑LED晶圆贴合到基板上，并将Micro‑LED晶圆底部进行工艺处理至N型GaN层；将Micro‑LED晶圆上相邻的两Micro‑LED晶粒的N型GaN层进行Micro‑LED晶粒隔离；将Micro‑LED晶粒的N型GaN层的表面进行N电极沉积；将Micro‑LED晶圆与驱动电路晶圆键合；将Micro‑LED晶圆上贴合的基板去除。本发明解决了目前Micro‑LED芯片应用过程中的的散热和巨量转移问题，使其转移效率提高，成本降低，芯片可靠性提高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 micro led 芯片 制备 方法 | ||
【主权项】：
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