[发明专利]具有光场集中结构的半导体激光器在审
| 申请号： | 202010978427.4 | 申请日： | 2020-09-17 |
| 公开（公告）号： | CN111987588A | 公开（公告）日： | 2020-11-24 |
| 发明（设计）人： | 黄国忠;吕一璁 | 申请（专利权）人： | 创兆光有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/22 | 分类号： | H01S5/22;H01S5/343 |
| 代理公司： | 北京冠和权律师事务所 11399 | 代理人： | 朱健 |
| 地址： | 中国香港中环德辅道中2*** | 国省代码： | 香港;81 |
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| 摘要： | 本发明属于半导体激光器领域，尤其涉及一种具有特殊光场集中结构的半导体激光器。本发明半导体激光器包含p面和n面电极、p型包覆层、p型光场集中结构、p型限制层、具有多量子阱可产生光子的有源层、n型限制层、n型光场集中结构、n型包覆层和衬底。其中n、p型光场集中结构为特殊光场集中结构，通过此特殊光场集中结构，光场能有效集中，增加光学限制因子，且可同时提高载流子注入效率避免产生载流子溢流效应，进而提升微分增益，使得激光二极管在光通信网络中的传输速率大幅提升。 | ||
| 搜索关键词： | 有光 集中 结构 半导体激光器 | ||
【主权项】：
暂无信息
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