[发明专利]一种InGaN/GaN多量子阱微米线的制备方法在审
| 申请号： | 202010967184.4 | 申请日： | 2020-09-15 |
| 公开（公告）号： | CN112164738A | 公开（公告）日： | 2021-01-01 |
| 发明（设计）人： | 宋伟东;罗幸君;李述体;曾庆光;陈钊 | 申请（专利权）人： | 五邑大学 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/06;H01L33/12;H01L33/20;H01L33/32 |
| 代理公司： | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 | 代理人： | 黄琳娟 |
| 地址： | 529000 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明属于半导体工艺和器件领域，公开了一种InGaN/GaN多量子阱微米线的制备方法。所述InGaN/GaN多量子阱微米线的制备方法，包括以下步骤：(1)对衬底表面进行蚀刻，得到倒梯形凹槽；(2)在倒梯形凹槽的侧壁上依次沉积AlN缓冲层、N型GaN层、InGaN/GaN多量子阱和P型GaN层，得到带有InGaN/GaN多量子阱微米线的衬底；(3)将带有InGaN/GaN多量子阱微米线的衬底放入剥离液中，释放得到所述InGaN/GaN多量子阱微米线。采用上述制备方法，能够制得极性和半极性的InGaN/GaN多量子阱微米线，并具有高效和低成本的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 ingan gan 多量 微米 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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