[发明专利]一种用于碲镉汞薄膜材料的石墨舟和生长系统有效
| 申请号： | 202010966462.4 | 申请日： | 2020-09-15 |
| 公开（公告）号： | CN112064119B | 公开（公告）日： | 2021-04-27 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 北京智创芯源科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/48 | 分类号： | C30B29/48;C30B19/06 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆英静 |
| 地址： | 100095 北京市北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于碲镉汞薄膜材料的石墨舟，包括具有至少两组水平液相外延组件的生长部件，水平液相外延组件逐层设置，每组水平液相外延组件均能够用于生长至少一片碲镉汞薄膜材料，相邻层间的水平液相外延组件相互连通；设置于生长部件下方的底座；设置于生长部件上方的盖板。对于大规模的碲镉汞薄膜材料，只需要在生长部件上增加水平液相外延组件的层数和单个水平液相外延组件能够生长碲镉汞薄膜材料的数量，便能够进一步提高碲镉汞薄膜材料的生长效率。此外，本发明还公开了一种用于碲镉汞薄膜材料的生长系统。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 碲镉汞 薄膜 材料 石墨 生长 系统 | ||
【主权项】：
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