[发明专利]一种低应力低吸收氧化物薄膜的制备方法在审
| 申请号： | 202010947436.7 | 申请日： | 2020-09-10 |
| 公开（公告）号： | CN112342506A | 公开（公告）日： | 2021-02-09 |
| 发明（设计）人： | 姜玉刚;刘华松;白金林;李子杨;赵艳 | 申请（专利权）人： | 天津津航技术物理研究所 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;C23C14/10;C23C14/08;C23C14/54 |
| 代理公司： | 中国兵器工业集团公司专利中心 11011 | 代理人： | 刘二格 |
| 地址： | 300308 天津*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： |
本发明属于光学薄膜技术领域，公开了一种低应力低吸收氧化物薄膜的制备方法，通过采用双离子束溅射沉积技术，以钽靶和二氧化硅靶作为溅射靶材，通过选择合适的双离子束溅射制备工艺参数，可实现应力为‑120MPa、吸收损耗为8ppm的Ta |
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| 搜索关键词： | 一种 应力 吸收 氧化物 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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