[发明专利]单晶小硅块的拼接切割方法有效
| 申请号： | 202010947343.4 | 申请日： | 2020-09-10 |
| 公开（公告）号： | CN111993615B | 公开（公告）日： | 2022-03-22 |
| 发明（设计）人： | 季建;岳维维;曹育红 | 申请（专利权）人： | 常州时创能源股份有限公司 |
| 主分类号： | B28D5/00 | 分类号： | B28D5/00;B28D5/04 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 213300 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了单晶小硅块的拼接切割方法，将单晶边皮切割出长方体状单晶小硅块，将单晶小硅块拼接后再切片出单晶硅片。本发明将单晶小硅块拼接处理后再进行切片，可提高加工效率，提高产能。本发明将单晶小硅块拼接后再进行切片，使得无需投入大量设备的前提下，就可以满足硅片加工，同时提高产能，大大降低了固定资产的投入。本发明将加工单晶小硅块的方式由单排改进为拼接，单刀产能提升50%，设备投入数量相应降低50%，同时加工硅片过程中所使用的辅材、耗能、人工成本也降低。 | ||
| 搜索关键词： | 单晶小硅块 拼接 切割 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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