[发明专利]一种采用硅硅键合工艺制作高压VDMOS的方法在审
| 申请号： | 202010936421.0 | 申请日： | 2020-09-08 |
| 公开（公告）号： | CN111900198A | 公开（公告）日： | 2020-11-06 |
| 发明（设计）人： | 张峰;冯羽 | 申请（专利权）人： | 杭州华芯微科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京博维知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11486 | 代理人： | 张倩 |
| 地址： | 310018 浙江省杭州市江干区*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种采用硅硅键合工艺制作高压VDMOS的方法，包括：准备支撑衬底和键合衬底；将所述支撑衬底和键合衬底进行硅硅键合，并进行高温退火固化；对键合后支撑衬底和键合衬底的边缘倒角进行腐蚀处理；将所述键合衬底减薄到需要的厚度；对所述键合衬底进行抛光。采用本申请实施例的一种采用硅硅键合工艺制作高压VDMOS的方法，使用硅硅键合技术，使用不同电阻率的常规CZ硅衬底材料互相键合制备出硅硅键合片，替代目前的厚膜外延片，取得高质量的满足客户要求的硅衬底片，提高生产效率降低生产成本，得到的高压VDMOS器件的过渡区明显变窄，产品参数的一致性更好。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 采用 硅硅键合 工艺 制作 高压 vdmos 方法 | ||
【主权项】：
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