[发明专利]一种氧化铜膜/硅晶片复合结构及其制备方法有效
| 申请号： | 202010927732.0 | 申请日： | 2020-09-07 |
| 公开（公告）号： | CN112030109B | 公开（公告）日： | 2022-07-29 |
| 发明（设计）人： | 韦江;王佳伟;胡强;程香平;陆磊;张友亮;焦斌斌;刘觐 | 申请（专利权）人： | 江西省科学院应用物理研究所 |
| 主分类号： | C23C14/16 | 分类号： | C23C14/16;C23C14/35;C23C14/58 |
| 代理公司： | 北京高沃律师事务所 11569 | 代理人： | 刘奇 |
| 地址： | 330000 江西省南昌市*** | 国省代码： | 江西;36 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种氧化铜膜/硅晶片复合结构及其制备方法，涉及纳米薄膜材料制备技术领域。本发明以磁控溅射的方法在硅晶片上沉积铜，使铜膜均匀的沉积在硅晶片上；所述铜膜/硅晶片结构在臭氧条件下进行氧化反应，能够将铜膜中的铜氧化成为氧化铜；再经后续的热处理，使得氧化铜膜与硅晶片基底之间的结合强度变强。本发明提供的氧化铜膜/硅晶片复合结构的氧化铜膜为纳米尺寸氧化铜堆积而成，所述纳米尺寸氧化铜的结构为纳米片状结构或颗粒状结构，且纳米片状结构的厚度为100～200nm，纳米颗粒结构的尺寸为200～300nm。在本发明中，所述氧化铜膜与硅晶片的膜基结合力大于100μN，结合稳定、不脱落不分离。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氧化铜 晶片 复合 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于江西省科学院应用物理研究所，未经江西省科学院应用物理研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202010927732.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种井盖自动锁结构及其使用方法
- 下一篇：混凝土路面裂缝修补方法
- 同类专利
- 专利分类
