[发明专利]具有低寄生电容的静电放电保护结构及其静电放电保护电路

摘要

本发明涉及一种具有低寄生电容的静电放电保护电路，包括第一双载子接面晶体管与第一静电放电功率钳位组件。第一双载子接面晶体管为NPN型的双载子接面晶体管，基极和发射极共同连接输入输出端，集电极连接第一静电放电功率钳位组件。第一静电放电功率钳位组件连接接地端。第一静电放电功率钳位组件可为齐纳二极管、NPN型、PNP型的双载子接面晶体管，或是类似组件。当注入正静电放电脉冲时，静电放电保护路径由第一双载子接面晶体管与第一静电放电功率钳位组件组成。注入负静电放电脉冲时，静电放电保护路径由寄生硅控整流器所组成，由此有效降低寄生电容。