[发明专利]一种高稳定性相变存储单元及其制备方法在审
| 申请号： | 202010915374.1 | 申请日： | 2020-09-03 |
| 公开（公告）号： | CN112133825A | 公开（公告）日： | 2020-12-25 |
| 发明（设计）人： | 宋志棠;宋三年;薛媛;王若冰 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 上海泰能知识产权代理事务所(普通合伙) 31233 | 代理人： | 宋旭;黄志达 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种高稳定性相变存储单元及其制备方法，包括基底层、电极材料、介质隔离材料，相变材料区以及所述相变材料与所述介质隔离材料之间的过渡层材料。本发明所形成的相变存储单元可以抑制相变材料晶粒的长大，提升相变存储器的热稳定性，有效抑制相变材料中各元素的扩散和挥发，减小电阻漂移系数，降低了器件功耗。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 稳定性 相变 存储 单元 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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