[发明专利]一种晶圆外延反应设备在审
| 申请号： | 202010881036.0 | 申请日： | 2020-08-27 |
| 公开（公告）号： | CN112216636A | 公开（公告）日： | 2021-01-12 |
| 发明（设计）人： | 刘凯 | 申请（专利权）人： | 西安奕斯伟硅片技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/677 | 分类号： | H01L21/677;H01L21/687;H01L21/67 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 刘长春 |
| 地址： | 710000 陕西*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种晶圆外延反应设备，包括：传送叶片，用于传送晶圆至反应腔室内的第一指定位置，以及在晶圆生长完成后将其从第一指定位置带离；反应腔室，内设有晶圆升降装置和位移传感器；晶圆升降装置用于带动晶圆在第一指定位置和第二指定位置之间运动，载置晶圆进行外延生长；位移传感器用于监测第二指定位置处的晶圆的位置数据；控制器，用于根据位置数据判断晶圆是否产生横向位移；当判断结果为是时触发告警；控制器还用于根据告警被触发时的位置数据调整第一指定位置，以使第一指定位置和第二指定位置上下对应。本申请可以确保晶圆升降装置将晶圆放置到指定位置上而不发生位置偏移，从而降低晶圆在外延反应设备中生长外延层时的不良率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 外延 反应 设备 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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