[发明专利]基于小角度深刻蚀工艺的碳化硅功率器件终端及制作方法在审
| 申请号： | 202010848381.4 | 申请日： | 2020-08-21 |
| 公开（公告）号： | CN112530795A | 公开（公告）日： | 2021-03-19 |
| 发明（设计）人： | 李良辉;周坤;李志强;张林;徐星亮;杨英坤;代方;李俊焘 | 申请（专利权）人： | 中国工程物理研究院电子工程研究所 |
| 主分类号： | H01L21/033 | 分类号： | H01L21/033 |
| 代理公司： | 成都天嘉专利事务所(普通合伙) 51211 | 代理人： | 蒋斯琪 |
| 地址： | 621999 四*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明提出了一种基于小角度深刻蚀工艺的碳化硅功率器件终端及制作方法；该SiC小角度深刻蚀终端制作方法采用双层胶剥离工艺制备刻蚀所需的极小倾角金属掩膜，其工艺原理主要是通过控制双层胶工艺形成的光刻胶倒台面形貌来控制剥离之后的金属掩膜形貌，通过工艺优化控制获得了边缘倾斜角度平均仅为1.6°的金属掩膜；利用该掩膜实现了深度14.5μm而角度仅为27°的SiC刻蚀形貌；最后基于该SiC小角度深刻蚀工艺可实现新型双向耐压SiC GTO器件逆向终端的制作；本发明的终端制作方法还可应用于SiC PiN功率二极管器件的正倾角刻蚀终端制作。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 角度 深刻 工艺 碳化硅 功率 器件 终端 制作方法 | ||
【主权项】：
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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