[发明专利]太阳能电池及其选择性发射极的制备方法有效

专利信息
申请号: 202010847223.7 申请日: 2020-08-21
公开(公告)号: CN111739985B 公开(公告)日: 2021-01-12
发明(设计)人: 于琨;刘长明;张昕宇;高贝贝;麻增智 申请(专利权)人: 浙江晶科能源有限公司;晶科能源有限公司
主分类号: H01L31/18 分类号: H01L31/18;H01L31/068;H01L31/0352
代理公司: 北京汇思诚业知识产权代理有限公司 11444 代理人: 肖丽
地址: 314416 浙江省嘉兴市*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 本申请提供了一种太阳能电池及其选择性发射极的制备方法,涉及太阳能电池技术领域。该太阳能电池选择性发射极的制备方法,包括以下步骤:在具有第一极性的半导体衬底的表面进行第一掺杂元素的扩散,以形成具有第二极性的轻掺杂层;在轻掺杂层的表面形成氧化层;在氧化层表面上的至少一个区域涂覆掺杂剂并进行掺杂处理,以在轻掺杂层中形成至少一个重掺杂区;其中,掺杂剂至少包括第二掺杂元素、第二掺杂元素的氧化物、第三掺杂元素和第三掺杂元素的氧化物中的一种或多种,第一掺杂元素、第二掺杂元素和第三掺杂元素为同族元素。本申请工艺流程简单,效率较高,有助于提高太阳能电池的转换效率,易于进行推广应用。
搜索关键词: 太阳能电池 及其 选择性 发射极 制备 方法
【主权项】:
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