[发明专利]脑电极后端连接用凸点、测试板的制备方法及测试结构在审
| 申请号： | 202010795040.5 | 申请日： | 2020-08-10 |
| 公开（公告）号： | CN111938635A | 公开（公告）日： | 2020-11-17 |
| 发明（设计）人： | 陶虎;王雪迎;周志涛;魏晓玲;郑发明 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | A61B5/0478 | 分类号： | A61B5/0478 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 郝传鑫;贾允 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本申请提供一种脑电极后端连接用凸点、测试板的制备方法及测试结构，该脑电极后端连接用凸点的制备方法包括以下步骤：在脑电极上制备凸点下金属层；凸点下金属层为镍金属层；在凸点下金属层上旋涂一层正性光刻胶；对正性光刻胶进行曝光、显影，暴露出凸点窗口区域；在凸点窗口区域电镀铜层；在铜层上电镀铅锡合金层，铅锡合金层能够覆盖凸点窗口区域；去除正性光刻胶，对凸点下金属层进行干法刻蚀处理，获得蘑菇状焊料柱；通过保护回流，获得球形凸点。本申请根据柔性脑电极的焊盘材质的特性提供的脑电极后端连接用凸点的制备方法，使脑电极可以在较低温度下实现热压互联，避免对器件的损坏。 | ||
| 搜索关键词： | 电极 后端 连接 用凸点 测试 制备 方法 结构 | ||
【主权项】：
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