[发明专利]一种基于全电介质超表面的双通道折射率传感器及方法有效
| 申请号： | 202010788917.8 | 申请日： | 2020-08-07 |
| 公开（公告）号： | CN112113916B | 公开（公告）日： | 2023-03-31 |
| 发明（设计）人： | 梁勇;黄旭光;谭起龙 | 申请（专利权）人： | 华南师范大学 |
| 主分类号： | G01N21/23 | 分类号： | G01N21/23 |
| 代理公司： | 广州容大知识产权代理事务所(普通合伙) 44326 | 代理人： | 刘新年 |
| 地址： | 510006 广东省广州市番禺区*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于全电介质超表面的双通道折射率传感器及方法，涉及折射率传感技术领域，传感器包括：半导体激光器、全电介质超表面结构、待测介质和至少两个光电探测器传感探头，所述半导体激光器位于全电介质超表面结构的正上方，还包括四分之一波片，设置于所述半导体激光器后侧。本发明采用电介质材料硅纳米天线构成超表面，避免了传统金属等离子体超表面极高的欧姆损耗，从而提高了折射率传感的品质因数和传感性能；通过测量双通道衍射光强来表征介质折射率的微小变化，不需要价格高昂且复杂的光谱测量设备，大大降低了传感器的成本；且构建的双通道测量方法能显著降低系统外部噪声，提高光学传感器的信噪比和抗干扰能力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 电介质 表面 双通道 折射率 传感器 方法 | ||
【主权项】：
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