[发明专利]熔体法生长碳化硅单晶用碳源供应装置

摘要

本发明涉及碳化硅晶体生长装置领域，具体而言，涉及一种熔体法生长碳化硅单晶用碳源供应装置。熔体法生长碳化硅单晶用碳源供应装置包括坩埚本体和碳源块；所述坩埚本体内设置有熔体；所述碳源块放置在所述坩埚本体的内部的底部，且被所述熔体覆盖，所述熔体用于将所述碳源块溶解为碳化硅晶体生长所需的碳源。本发明的有益效果是：通过在坩埚本体内的底部放置碳源块，熔体覆盖碳源块，能够使碳源块进行充分溶解，进而通过碳源块给碳化硅晶体生长提供稳定的、足够的碳源，形成稳定的碳供应。