[发明专利]一种高温高可靠厚膜Al焊盘的制备方法有效
| 申请号： | 202010772690.8 | 申请日： | 2020-08-04 |
| 公开（公告）号： | CN111863629B | 公开（公告）日： | 2021-07-30 |
| 发明（设计）人： | 刘欣;钱满满;刘军;王鹏;胡宗亮;孙玉达;崔久鹏;丁长春;赵秋山 | 申请（专利权）人： | 青岛智腾微电子有限公司;青岛智腾科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48;H01L23/498 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 266000 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明公开一种高温高可靠厚膜Al焊盘的制备方法，属于航天微电子封装技术领域，通过在厚膜金导带上原位生成Al焊盘，实现了Al‑Al的键合方式，将其应用在200～250℃的高温电路产品上也具有长期的可靠性；通过选择性的在金导带上印刷烧结一层5～8um厚的Ni过渡层，以及溅射形成的钛钨复合层相互配合起到阻挡层的作用，实现隔绝金和铝之间的互扩散；然后在TiW层的表面用磁控溅射的方式沉积一层3～5um的Al金属层，为厚膜电路的内引线互连提供Al‑Al的键合体系，可以消除Au‑Al键合产生的金属间化合物和柯肯达尔效应带来的不利影响，在200～250℃的高温环境下长期工作，依然可以提供有效地引线键合强度和导通电阻，实现了高温高可靠的产品应用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高温 可靠 al 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
