[发明专利]用于形成二氧化硅层的组成物、二氧化硅层和电子器件有效
| 申请号： | 202010771243.0 | 申请日： | 2020-08-04 |
| 公开（公告）号： | CN112409824B | 公开（公告）日： | 2022-04-05 |
| 发明（设计）人： | 裵镇希;郭泽秀;姜明镐;张胜宇;卢健培 | 申请（专利权）人： | 三星SDI株式会社 |
| 主分类号： | C09D1/00 | 分类号： | C09D1/00;H01L21/316 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 杨贝贝;臧建明 |
| 地址： | 韩国京畿道龙仁*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
提供一种用于形成二氧化硅层的组成物、由其制造的二氧化硅层以及包含二氧化硅层的电子器件，组成物包含含硅聚合物和溶剂，其中当将70克的用于形成二氧化硅层的组成物添加到100毫升容器，在40℃下使其静置28天，且获得由组成物产生的1毫升的气体时，1毫升的气体包含氢气、硅烷气体SiH |
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| 搜索关键词： | 用于 形成 二氧化硅 组成 电子器件 | ||
【主权项】：
暂无信息
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