[发明专利]一种超导纳米线单光子探测器的制备方法有效

专利信息
申请号: 202010765342.8 申请日: 2020-07-31
公开(公告)号: CN111947794B 公开(公告)日: 2023-01-31
发明(设计)人: 王军;杨明亮;苟君;李春雨;吴志明 申请(专利权)人: 电子科技大学
主分类号: G01J11/00 分类号: G01J11/00
代理公司: 成都弘毅天承知识产权代理有限公司 51230 代理人: 杨保刚
地址: 611731 四川省成*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 发明涉及红外单光子探测技术领域,具体涉及一种超导纳米线单光子探测器的制备方法,具体为:在衬底基片上制备纳米线台阶结构;在具有所述纳米线台阶结构的基片上制备超导材料形成超导纳米线结构;采用掩膜板A在所述超导纳米线结构的两端制备金属电极接触层;采用掩膜板B在所述超导纳米线结构和金属电极接触层上制备绝缘保护层。该制备方法通过先在衬底基片上制备纳米线台阶结构,后在具有纳米线台阶的基片上制备超导材料形成超导纳米线结构,避免了对超导材料进行光刻与刻蚀加工,这种制备方法可以实现超导纳米线结构的制备并避免超导材料受到加工工艺的影响,保证超导纳米线器件的稳定性能。
搜索关键词: 一种 导纳 米线 光子 探测器 制备 方法
【主权项】:
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