[发明专利]一种高功率保偏耦合器的制作方法在审
| 申请号： | 202010735345.7 | 申请日： | 2020-07-28 |
| 公开（公告）号： | CN111999814A | 公开（公告）日： | 2020-11-27 |
| 发明（设计）人： | 徐善辉;杨昌盛 | 申请（专利权）人： | 横琴东辉科技有限公司 |
| 主分类号： | G02B6/28 | 分类号： | G02B6/28 |
| 代理公司： | 珠海飞拓知识产权代理事务所(普通合伙) 44650 | 代理人： | 陈李青 |
| 地址： | 519031 广东省珠海市横琴新*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高功率保偏耦合器的制作方法，包括如下步骤：1、将两根及以上保偏单模光纤涂覆层剥除，使该剥除光纤裸露，且光纤裸露部分不能接触其它物体，保证洁净度。2、将剥除好的保偏单模光纤靠扰在一起，放置在拉锥夹具上，在高温加热下熔融，同时通过拉锥软件控制夹具向两侧拉伸，在加热区形成双锥体形式。3、将步骤二中形成的双锥体封装到铝盒中，所述铝盒里面放置有蓝宝石，光纤锥区和蓝宝石面精密贴合在一起，然后在剥除涂覆层的裸露光纤两端点上高胶；4、封装好后，通过高功率光源进行测试，最后完成制作。本发明提出另一种高功率保偏耦合器的制作方法，改善发热量大，功率低的问题，并且进一步的改善了器件的稳定性和光的模式。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 功率 耦合器 制作方法 | ||
【主权项】：
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