[发明专利]半导体复合晶圆及制造方法在审
| 申请号： | 202010734727.8 | 申请日： | 2020-07-28 |
| 公开（公告）号： | CN111952151A | 公开（公告）日： | 2020-11-17 |
| 发明（设计）人： | 万明 | 申请（专利权）人： | 苏州赛万玉山智能科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 南京艾普利德知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32297 | 代理人： | 陆明耀 |
| 地址： | 215311 江苏省苏州市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种半导体复合晶圆，所述半导体复合晶圆包括一单晶晶圆层，所述单晶晶圆层具有第一厚度，背面复合有陶瓷材料层，所述陶瓷材料层具有第二厚度，与所述单晶晶圆层同质。由于所述陶瓷材料层与所述单晶晶圆层同质，所以两者将拥有相同的热膨胀系数，后续在所述半导体复合晶圆上进行外延及芯片制作将无需特别更改工艺，芯片制作完全后背面减薄主要是将所述半导体复合晶圆中的陶瓷材料层减薄去除，保留相应的单晶晶圆层以及可能的外延层材料即可。所述半导体复合晶圆中的单晶晶圆层的厚度远小于一般纯单晶晶圆的厚度，极大地提高单晶材料的利用率，节省了大量昂贵的单晶材料，同时也降低了相应的晶圆以及芯片加工成本。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 复合 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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