[发明专利]金属相二硫化钼、自支撑电极、制备方法、应用有效
| 申请号： | 202010732763.0 | 申请日： | 2020-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN111847514B | 公开（公告）日： | 2021-12-31 |
| 发明（设计）人： | 李楠;刘志鹏;苑世盛;王凯雯;向丽娟 | 申请（专利权）人： | 吉林大学 |
| 主分类号： | C01G39/06 | 分类号： | C01G39/06;C01G51/00;C01G51/06;C25B11/054;C25B11/091;C25B1/04;H01M4/58;H01M4/136;H01M4/04;H01M4/1397;H01M10/0525;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 北京专赢专利代理有限公司 11797 | 代理人： | 李斌 |
| 地址： | 130012 吉*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | 本发明涉及材料领域，具体公开了一种金属相二硫化钼、自支撑电极、制备方法、应用，所述金属相二硫化钼包括以下的原料：三氧化钼（作为钼源）、硫源，以及适量的还原剂和适量的水；其中，所述三氧化钼中的钼原子数量与所述硫源中的硫原子数量之比为1:5‑40。本发明实施例提供的金属相二硫化钼通过采用三氧化钼作为钼源，并通过适量的硫源、还原剂和水进行水热合成制备金属相二硫化钼，产物中金属相二硫化钼含量高；而提供的制备方法具有操作简单安全，制备周期短，适合大规模生产的优势，解决了现有金属相二硫化钼的合成大多通过锂离子剥层来实现，存在制备周期长、安全性低的问题，具有广阔的市场前景。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 二硫化钼 支撑 电极 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
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