[发明专利]低温多晶氧化物阵列基板及其制作方法

摘要

本发明提供一种低温多晶氧化物阵列基板及其制作方法。本发明提供的阵列基板，包括衬底基板以及设置在衬底基板上的薄膜晶体管组件，薄膜晶体管组件包括第一半导体层、第一源极、第一漏极、第二半导体层、第二源极、第二漏极和公共栅极；第一半导体层、第一源极、第一漏极和公共栅极形成第一薄膜晶体管，第二半导体层、第二源极、第二漏极和公共栅极形成第二薄膜晶体管，第二薄膜晶体管设于第一薄膜晶体管上方，且第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管在竖直方向上具有重叠区域；其中，第一半导体层和第二半导体层中的一者为多晶硅半导体层，另一者为金属氧化物半导体层。本发明提供的阵列基板在满足高分辨率要求的同时，可增大像素开口率，降低功耗。