[发明专利]硅异质结太阳能电池及其制作方法有效
| 申请号： | 202010718701.4 | 申请日： | 2020-07-23 |
| 公开（公告）号： | CN112002778B | 公开（公告）日： | 2022-10-04 |
| 发明（设计）人： | 徐琛 | 申请（专利权）人： | 隆基绿能科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0747 | 分类号： | H01L31/0747;H01L31/0216;H01L31/0376;H01L31/20 |
| 代理公司： | 北京知迪知识产权代理有限公司 11628 | 代理人： | 王胜利 |
| 地址： | 710100 陕西*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开一种硅异质结太阳能电池以及硅异质结太阳能电池的制作方法，涉及太阳能电池技术领域，以利用本征非晶硅锗层抑制硅基底界面的外延生长，以利用本征非晶硅层提升硅基底界面的钝化效果。该硅异质结太阳能电池，包括：N型硅基底；形成在N型硅基底的一面上的本征非晶硅锗层；形成在本征非晶硅锗层上的第一本征非晶硅层；以及形成在第一本征非晶硅层上的P型掺杂非晶硅层。本发明提供的硅异质结太阳能电池的制作方法用于制作上述硅异质结太阳能电池。 | ||
| 搜索关键词： | 硅异质结 太阳能电池 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
