[发明专利]偏三嗪并菲啰啉类衍生物和电子器件及用途在审
| 申请号： | 202010713271.7 | 申请日： | 2020-07-22 |
| 公开（公告）号： | CN111825672A | 公开（公告）日： | 2020-10-27 |
| 发明（设计）人： | 张业欣;刘向阳;朱向东;崔林松;陈华 | 申请（专利权）人： | 苏州久显新材料有限公司 |
| 主分类号： | C07D471/14 | 分类号： | C07D471/14;C07D519/00;C07F5/02;C07F9/6561;C07F7/10;C09K11/06;H01L51/00;H01L51/54 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 胡彬 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州市苏州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及偏三嗪并菲啰啉([1,2,4]三嗪并[5,6‑f][1,10]菲啰啉)类衍生物和电子器件及用途。本发明的偏三嗪并菲啰啉类衍生物通过引入偏三嗪并菲啰啉类刚性结构，得到的偏三嗪并菲啰啉类衍生物成膜性和热稳定性优异，可用于制备有机电致发光器件、有机场效应晶体管和有机太阳能电池。另外，本发明的偏三嗪并菲啰啉类衍生物可以作为空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子阻挡层、空穴阻挡层或电子传输层的构成材料，能够降低驱动电压，提高效率、亮度和寿命等。此外，本发明的偏三嗪并菲啰啉类衍生物的制备方法简单，原料易得，能够满足工业化的发展需求。 | ||
| 搜索关键词： | 偏三嗪 菲啰啉类 衍生物 电子器件 用途 | ||
【主权项】：
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