[发明专利]苊并偏三嗪类衍生物和电子器件及用途在审
| 申请号： | 202010711703.0 | 申请日： | 2020-07-22 |
| 公开（公告）号： | CN111875590A | 公开（公告）日： | 2020-11-03 |
| 发明（设计）人： | 张业欣;刘向阳;朱向东;崔林松;陈华 | 申请（专利权）人： | 苏州久显新材料有限公司 |
| 主分类号： | C07D403/14 | 分类号： | C07D403/14;C07D403/10;C07D405/14;C07D409/14;C07D491/048;C07D495/04;C07D487/04;C07D487/14;C07D471/04;C07D253/10;C07D403/12;C07D401/14;C07D413/14 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 胡彬 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州市苏州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及苊并偏三嗪(苊并[1,2‑e][1,2,4]三嗪)类衍生物和电子器件及用途。本发明的苊并偏三嗪类衍生物通过引入苊并偏三嗪类刚性结构，得到的苊并偏三嗪类衍生物成膜性和热稳定性优异，可用于制备有机电致发光器件、有机场效应晶体管和有机太阳能电池。另外，本发明的苊并偏三嗪类衍生物可以作为空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子阻挡层、空穴阻挡层或电子传输层的构成材料，能够降低驱动电压，提高效率、亮度和寿命等。此外，本发明的苊并偏三嗪类衍生物的制备方法简单，原料易得，能够满足工业化的发展需求。 | ||
| 搜索关键词： | 偏三嗪类 衍生物 电子器件 用途 | ||
【主权项】：
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