[发明专利]半导体测试结构及测试方法有效
| 申请号： | 202010695542.0 | 申请日： | 2020-07-16 |
| 公开（公告）号： | CN111707185B | 公开（公告）日： | 2021-12-03 |
| 发明（设计）人： | 刘璐 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | G01B7/30 | 分类号： | G01B7/30 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 曹廷廷 |
| 地址： | 201315*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体测试结构及测试方法，包括第一半导体测试单元和第二半导体测试单元，所述第一半导体测试单元和所述第二半导体测试单元均包括至少两个测试模块，每个所述测试模块均包括第一测试金属层、第二测试金属层及垂直设置在二者之间的金属通孔。第一半导体测试单元中各测试模块的第二测试金属层相对于金属通孔在第一方向上的偏移量不同；第二半导体测试单元的各测试模块中第一测试金属层相对于金属通孔在第二方向上的偏移量不同。本发明提供的半导体测试结构及测试方法可以模拟实际结构中的通孔形貌，在不破坏原结构的情况下测出通孔斜度，避免了现有通孔斜度测试过程中对晶圆造成的不可逆损坏，进而避免测试造成的晶圆浪费。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 测试 结构 方法 | ||
【主权项】：
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