[发明专利]存储器字线形貌的控制方法在审
| 申请号： | 202010694344.2 | 申请日： | 2020-07-17 |
| 公开（公告）号： | CN111799217A | 公开（公告）日： | 2020-10-20 |
| 发明（设计）人： | 王旭峰;于涛 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 曹廷廷 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种存储器字线形貌的控制方法，包括以下步骤：步骤S1：字线多晶膜层涂覆步骤，用于在擦除栅极多晶硅以及隔离区上布置字线多晶硅，其中，所述字线多晶膜层包括非掺杂多晶硅；步骤S2：采用各向同性刻蚀工艺对所述字线多晶膜层进行部分厚度的刻蚀；步骤S3：采用各向异性刻蚀工艺对所述字线多晶膜层进行剩余部分的刻蚀，以形成字线多晶层；步骤S4：对所述字线多晶层执行离子掺杂工艺，以形成掺杂后的字线多晶层。本发明通过一次各项同性干法刻蚀工艺和一次各项异性干法刻蚀工艺，避免了字线在靠近衬底的部分出现尾巴形貌，避免了其对后续侧墙工艺的影响，同时使得字线WL的上表面的尖角的高度减低。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 线形 控制 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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