[发明专利]一种双有源区激光器芯片及制备方法在审
| 申请号： | 202010683005.4 | 申请日： | 2020-07-15 |
| 公开（公告）号： | CN111900626A | 公开（公告）日： | 2020-11-06 |
| 发明（设计）人： | 周立;苟于单;王俊;程洋;郭银涛;肖啸 | 申请（专利权）人： | 苏州长光华芯光电技术有限公司;苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/343 | 分类号： | H01S5/343;H01S5/10;H01S5/30 |
| 代理公司： | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 | 代理人： | 李博洋 |
| 地址： | 215163 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： |
本发明提供了一种双有源区激光器芯片及制备方法，其中，双有源激光器芯片包括：依次设置的衬底、下有源区和上有源区；上有源区中包括上有源区量子阱；下有源区中包括下有源区量子阱；上有源区量子阱与下有源区量子阱的材料为In |
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| 搜索关键词： | 一种 有源 激光器 芯片 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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