[发明专利]石墨烯场效应管及其制造方法有效
| 申请号： | 202010635911.7 | 申请日： | 2020-07-03 |
| 公开（公告）号： | CN111739803B | 公开（公告）日： | 2021-11-12 |
| 发明（设计）人： | 张金松;于承霖;李绍锐;高志廷;王永超;李耀鑫;王亚愚 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇 |
| 地址： | 100084*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本公开涉及一种石墨烯场效应管及其制造方法。方法包括：获得带有石墨烯层的衬底，石墨烯层位于衬底上；在石墨烯层上制备源极电极和漏极电极；在衬底上依次形成第一承载层和顶盖层，第一承载层中设置的与石墨烯层对应的通孔和石墨烯层、顶盖层形成承载空腔，在确定承载空腔中已经注入液态氢离子电解质之后，密封承载空腔，得到石墨烯场效应管，其中，石墨烯场效应管的栅极电极与液态氢离子电解质接触。本公开实施例所制造的石墨烯场效应管在室温下的电流开关比高，在石墨烯场效应管可以做到原位调控，且制造工艺简单，成本低，适用范围广。 | ||
| 搜索关键词： | 石墨 场效应 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
